Glossar

A
A/D	Analog/Digital-Schnittstelle
Anode	Die Anode ist die Gegenelektrode zur Kathode und nimmt Elektronen auf. Somit wandern Anionen(-) zur Anode(+) und Kationen(+) zur Kathode(-).
Arc-Management	Arcs sind spontane Bogenentladungen, die die Qualität der Beschichtung negativ beeinflussen. Um diesen plötzlichen Entladungen entgegenzutreten werden sog. Arc-Managements eingesetzt. Durch die reaktionsschnelle Sensorik werden entstehende Arcs schnell und präzise erfasst und ausgeschalten.
ArcManagement SensorLine	Das neue Arc-Management von HÜTTINGER. Es ist schnell und präzise in Erfassung und Reaktion auf entstehende Arcs. SensorLine ist eine Standardkomponente der fortschrittlichen HÜTTINGER DC- und MF- Plasmastromversorgungen.
B
Blindleistung	Ist der Teil der Scheinleistung, der durch elektrische Speicherelemente und Schwingkreise hervorgerufen wird und nicht zur Wirkleistung am Verbraucher beiträgt.
Bridgman-Stockbarger-Verfahren	Beim Bridgman-Stockbarger-Verfahren, auch Vertikalziehen genannt, wird polykristallines Ausgangsmaterial in einem geschlossenen Tiegel aufgeheizt und mit geringen Abkühlraten langsam abgekühlt. Zur Wärmeübertragung dient ein Graphit-Suszeptor. Der Kristall erkaltet und verfestigt sich, indem der Tiegel aus dem Hochfrequenzfeld herausgefahren wird. Alternativ er-folgt dies durch Reduktion der Generatorleistung.
C
CAN	Der CAN-Bus (Controller Area Network) ist ein industrielles Kommunika-tionssystem und gehört zu den Feldbussen. Das asynchrone und serielle Bussystem verbindet Feldgeräte (z.B. Sensoren) mit Steuerungsgeräten über das Schicht-7-Protokoll.
CANopen/DeviceNet	CANopen ist ein auf CAN-Bus basierendes Kommunikationsprotokoll, das hauptsächlich in der Automatisierungstechnik angewendet wird. DeviceNet ist ein auf CAN basierender Feldbus.
CO2-Laser	CO2-Laser sind elektrisch angeregte Glaslaser mit einer Wellenlänge von 10,6 µm (fernes Infrarot), die vorrangig zur Materialbearbeitung eingesetzt werden.
CVD	Mittels CVD-Technologie (Chemical Vapor Deposition) werden dünne Schichten auf Materialien unterschiedlichster Qualitäten aufgebracht. Dabei wird aus gasförmigen Stoffen ein festes Beschichtungsmaterial erzeugt. Dieses lagert sich auf dem zu beschichtenden Material (Substrat) als kristalline oder amorphe Schicht ab.
Czochralski-Verfahren	Beim Czochralski-Verfahren, auch Tiegelziehen genannt, wird das zu bearbeitende Material in einem Tiegel zum Schmelzen gebracht. Ein einkristalliner Keim wird der Mitte der Oberfläche des Bades angenähert und mit dieser in Berührung gebracht. Die Flüssigkeit steigt durch Kapil-larität den Keim entlang hoch, bildet einen Meniskus und erzeugt eine dreifache Grenzfläche Flüssigkeit-Feststoff-Gas. Der Keim wird dann langsam nach oben gezogen, um einen Einkristall zu bilden. Der Einkristall wächst zu einem Kristallgitter, indem man ihn in Drehung hält.
D                                                                                                                                                       ↑
DC	Englische Bezeichnung für Gleichstrom (Direct Current)
Dotierung	Gezielter Einbau von Verunreinigungen in ein Material, oft nur in geringen Konzentrationen. Anwendung vor allem in der Halbleitertechnologie zur Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit.
E                                                                                                                                                       ↑
Epitaxy	Bei der Epitaxie handelt es sich um das Aufwachsen einkristalliner Schich-ten auf einkristallinen Substraten gleichen Materials, wobei die kristallografische Ordnung erhalten bleibt.
F                                                                                                                                                       ↑
FPD	Flat Panel Display (Flachbildschirm)
H                                                                                                                                                       ↑
Halbleiter	Unter einem Halbleiter versteht man einen Festkörper, der aufgrund seiner elektrischen Leitfähigkeit als Leiter oder Nichtleiter betrachtet werden kann. Die Leitfähigkeit ist stark temperaturabhängig (NTC-Verhalten) und kann durch Dotierung beeinflusst werden. Das wichtigste Material für die Halbleiterher-stellung ist Silizium.
HF-Umschalter	Ermöglicht die Steuerung mehrerer Prozesskammern mit einem Generator.
I                                                                                                                                                       ↑
Induktion	Unter Induktion versteht man das Entstehen einer elektrischen Spannung durch die zeitliche Änderung des umfassten magnetischen Flusses.
Induktive Erwärmung	Ein unmittelbares Erwärmungsverfahren, bei dem Wärme durch induzierte Wirbelströme direkt im Material entsteht. Alle elektrisch leitfähigen Materialien können induktiv erwärmt werden.
Induktiv gekoppeltes Plasma	Ein Wechselstrom wird durch eine Spule geleitet und induziert im Gas einen elektrischen Strom, der wiederum eine Erwärmung der Ladungsträger bewirkt. Da die induzierten Feldlinien ringförmig geschlossen sind, ist ein berührungsloser Einschluss des Plasmas möglich.
Induktor	Dient bei der induktiven Erwärmung der Generierung des elektromagne-tischen Feldes, in dem sich das Werkstück befindet. Der Induktor wird mit Wechselstrom gespeist.
Ionenimplantation	Ist ein Ionenstrahlverfahren: Einbau von hochenergetischen Teilchen (keV bis MeV) durch Beschuss der Substratoberfläche. Insbesondere eingesetzt in der Mikroelektronik zur Dotierung von Halbleitern, aber auch in einigen Fällen zum Verschleißschutz.
K                                                                                                                                                       ↑
Kathode	Die Kathode ist die negative Elektrode und zieht in einem Plasma die positiven Ionen an. Die Kathode ist die Gegenelektrode zur Anode.
Koaxialkabel	Ist ein zweiadriges Kabel mit konzentrischem Aufbau. Hin– und Rückleiter werden durch einen Isolator bzw. Dielektrikum getrennt. Die magnetischen Felder von Hin- und Rückleiter kompensieren sich, dadurch ist ein Koaxial-kabel nicht von einem Magnetfeld umgeben. Es dient in der HF-Technik als Verbindung zwischen Generator und Matchbox.
Koaxialtransformator	Ein spezieller Transformator, der ähnlich wie ein Koaxialkabel aufgebaut ist. Die Sekundärwicklung umschließt die Primärwicklung. Ein Koaxialtrafo dient meist zur Absenkung der Generatorspannung am Induktor.
Kondensator	Kondensatoren speichern elektrische Ladung und werden durch ihre Kapazität gekennzeicht. Bei Betrieb mit Wechselstrom in Verbindung mit der induktiven Erwärmung dient der Kondensator zum Aufbau eines Resonanzschwingkreises der in Serie oder parallel zum Induktor geschaltet ist.
M                                                                                                                                                       ↑
Magnetron-Sputtern	Beim Magnetron-Sputtern wird zusätzlich zum elektrischen Feld hinter der Kathodenplatte ein Magnetfeld angeordnet. Durch die Überlagerung der beiden Felder werden die Ladungsträger auf Spiralbahnen gelenkt. Durch den verlängerten Weg wird die Stoßwahrscheinlichkeit mit anderen Teilchen erhöht und damit die Ionisation.
Matchbox	Anpassnetzwerk, das durch Filter und Schwingkreis die Impedanz der Kathode an die Ausgangsimpedanz des Generators anpasst.
MF	Englischer Begriff für Medium Frequency (Mittelfrequenz)
N                                                                                                                                                       ↑
Niedertemperaturplasma	Niedertemperaturplasmen sind gasförmige Plasmen mit Elektronenenergien unterhalb von 10 eV bzw. 105 K und typischen Elektronendichten von 1014 bis 1024 m-3. Im Allgemeinen besitzen Niedertemperaturplasmen bei niedrigen Dichten einen geringen Ionisierungsgrad, d.h. die Anzahl der Ionen und Elektronen ist deutlich geringer als die der Neutralteilchen (Atome bzw. Moleküle). Das wesentliche gemeinsame Merkmal aller relevanten Niedertemperaturplasmen ist, daß die verschiedenen Teilchen innerhalb des Plasmas unterschiedliche Temperaturen bzw. Energien besitzen können. Das bedeutet, dass das Gas relativ kalt bleibt, aber die einzelnen Teilchen trotzdem große Energien haben können (z.B. bei Leuchtstoffröhren).
P                                                                                                                                                       ↑
Plasma	Als Plasma bezeichnet man in der Physik ein ionisiertes Gas, mit elektrischen Leistungseigenschaften. Der Plasmazustand wird auch als vierter Aggregatzustand bezeichnet. Ein Plasma entsteht, wenn einem Gas soviel Energie zugeführt wird, dass ein Teil der Atome ionisiert wird. Plasmen bestehen somit aus neutralen Atomen, Ionen sowie Elektronen. Nach außen hin sind sie quasi elektrisch neutral, da die Anzahl der positiv und negativ geladenen Teilchen im Volumen annähernd gleich groß ist.
Plasma-Aktivieren	Aktivieren einer Oberfläche unter Einwirkung von Plasma, z.B. durch Entfernen von Passivierungen (Oxidschichten) sowie die Vorbereitung der Oberfläche für nachfolgende (Beschichtungs-)Prozesse z.B. Aufbringen von Schichten, Lackierungen usw.
Plasmaanregung	Zur Erzeugung eines Plasmas wird üblicherweise elektrische Energie in ein Arbeitsgas (z.B. Argon) eingekoppelt. Durch die Ionisation zündet das Plasma. Neben der klassischen Gleichstromanregung wird auch Hochfrequenz- und Mittelfrequenzenergie zur Anregung von Plasmen eingesetzt.
Plasmabeschichtung	Plasmen wirken bei den meisten modernen, vakuumgestützten Beschichtungsverfahren (z.B. PVD, CVD). Die Schichtabscheidung geschieht aus dem Plasma; dessen hohe Energie führt zu verbesserten Schichteigenschaften (z.B. Haftung). Ein weiteres Verfahren zur Plasmabeschichtung ist das Plasmaspritzverfahren.
Plasma-CVD	CVD-Prozeß, bei dem die chemische Reaktion durch ein Plasma aktiviert wird (PECVD, plasma enhanced CVD). Durch die Energieeinkopplung aus dem Plasma ist die chemische Reaktion bei deutlich niedrigeren Temperaturen möglich (weniger als 500°). Plasma-CVD wird insbesondere in der Werkzeugbeschichtung und in der Mikroelektronik eingesetzt.
Plasma-Polymerisation	Organische oder anorganische Polymere werden aus einem Monomerdampf unter Einwirkung eines Plasmas (oder auch von UV-Licht) abgeschieden. Anwendungen finden sich z.B. als Schutzschichten für Spiegel in der Solartechnik, als Scheinwerfer im Automobil oder zur Herstellung von Membranen wieder.
Plasmaquelle	Bei der Erzeugung von Plasmen mittels elektrischer Entladungen reicht das Spektrum von Gleich- und Wechselstrom über Hochfrequenz- bis hin zu Mikrowellenentladungen. Weil mit steigender Anregungsfrequenz unter anderem die Realisierung höherer Ionendichten möglich ist, werden zunehmend höherfrequente Entladungen untersucht. Gepulste und andere zeitlich veränderliche Plasmen nehmen inzwischen einen großen Stellenwert im Bereich der Plasmatechnik ein. Sie ermöglichen es, kurzzeitig hohe Energien in das Plasma einzubringen und Prozesse gezielt so zu steuern, dass z.B. Relaxationsprozesse oder Folgereaktionen ablaufen und für den Reaktionsprozess genutzt werden können.
Plasmaätzen	Eine Abtragetechnik, die am Substrat durch Wechselwirkung mit dem Plasma ein flüchtiges Reaktionsprodukt erzeugt. Die Wechselwirkung kann chemisch reaktiv sein (Reaktives Plasmaätzen) oder physikalischer Natur (Zerstäuben der Oberfläche), dadurch erfolgt der Materialabtrag am Substrat. Das Verfahren wird vielfach in der Halbleiterindustrie zum Strukturieren eingesetzt.
Plasma-Wärmebehandlung	Thermochemisches Verfahren unter Einwirkung von Plasma, durch das die Werkstücktemperatur wesentlich erniedrigt werden kann.
PVD	"Physical Vapour Deposition": Mittels physikalischer Prozesse (Verdampfen, Beschuß mit hochenergetischen Teilchen etc.) wird ein Ausgangsmaterial (Target) im Vakuum abgetragen. Das Material scheidet sich aus der Dampfphase auf einem in einiger Entfernung vom Target befindlichen Substrat ab. PVD-Verfahren eignen sich zur Beschichtung bei relativ niedrigen Temperaturen.
Pyrometer	Ein Gerät zur Temperaturmessung, das die von einem Körper ausgesendete Wärmestrahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich erfasst. Dadurch kann berührungslos gemessen werden.
R                                                                                                                                                       ↑
Reaktives Sputtern	In der Prozesskammer wird dem Arbeitsgas ein Reaktionsgas zugesetzt. Die durch das Plasma ionisierte Atome reagieren mit den gesputterten Schichtatomen in der Vakuumkammer. Die entstandenen Reaktionsprodukte scheiden sich anschließend an der Substratoberfläche ab.
RS 232	Bezeichnet einen Standard für eine serielle Schnittstelle
RF	Englische Bezeichnung für Hochfrequenz (Radio Frequency)
S                                                                                                                                                       ↑
Scheinleistung	Bezeichnet bei Wechselströmen die elektrische Leistung, welche an einer beliebigen Impedanz aus dem Produkt der Effektivwerte von Spannung und Strom gebildet wird. Die Scheinleistung besteht aus Blind- und Wirkleistung.
Schwingkreis	Ist eine elektrische Schaltung zur Erzeugung elektrischer Schwingungen. Ein idealer (verlustfreier) Schwingkreis besteht nur aus einer Induktivität und einer Kapazität; ein realer (verlustbehafteter) Schwingkreis enthält zusätzlich ohmsche Widerstände, welche die Schwingungen dämpfen. Man unterscheidet Reihen- und Parallelschwingkreis. Jeder reale Schwingkreis ist durch Resonanzfrequenz und Güte gekennzeichnet. Die Güte drückt das Verhältnis von Blind- und Wirkleistung aus.
Sputtern	Bezeichnet einen physikalischen Vorgang, bei dem Atome aus einem Festkörper (Target) durch Beschuss mit energiereichen Ionen (vorwiegend Edelgasionen) herausgelöst werden und in die Gasphase übergehen. Die herausgelösten Teilchen schlagen sich am Substrat nieder und bilden die Schicht. Relativ niedrige Beschichtungsraten gestatten besonders dicke und glatte Schichten. Sputtern wird hauptsächlich in der Mikroelektronik, der Optik und der Werkzeugbeschichtung angewandt.
Substrat	Das Substrat ist das zu beschichtende Objekt. In der Chipindustrie kann es für den Siliziumwafer stehen, bei anderen Anwendungen wird z.B. Glas als Substrat für Flachbildschirme oder auch Solarzellen genutzt. Weitere Substrate können Textilien, Folien und weitere Kunststoffe sein.
T                                                                                                                                                       ↑
Target	Das Target ist das beim Sputtern zu zerstäubende Material, mit dem das Substrat beschichtet werden soll.
V                                                                                                                                                       ↑
Vaporisation	Das Beschichtungsmaterial wird im Vakuum verdampft (z.B. durch Widerstandsheizung oder über Aufheizung mit einem Elektronenstrahl). Der Dampf schlägt sich am Substrat nieder. Mit der Vaporisation sind hohe Schichtraten erreichbar, die allerdings durch die fehlende Plasmaeinwirkung nicht sehr dicht sind. Anwendungen z.B. in der Großflächenbeschichtung.
W                                                                                                                                                       ↑
Wirkleistung	Ist der Teil der Scheinleistung, welcher an ohmschen Widerständen auftritt und dort in Wärme umgewandelt wird. Die Wirkleistung wird auch als Verlustleistung bezeichnet.